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第10章 暗流涌动与无声的援手(上)

小说: 七零之界碑之盾   作者:就要吃瓜
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第十章 暗流涌动与无声的援手(上)

他的声音在巨大的噪音背景下显得有些失真,但语气中的考校意味更加明显:

“周工程师!这种陶瓷金属化封装的锗功率管,编号是GT404B对吧?请告诉我,它在你们这里进行的HTRB老化测试条件下——85°C,85%RH,额定反向偏压——连续工作1000小时后,其首流电流增益的平均衰减率是多少?

最主要的失效机理是什么?是金-铝键合点的柯肯德尔空洞效应导致的引线开路?还是电迁移引起的内部金属化层失效?或者,有没有观察到更严重的、由封装密封性不足导致的湿气入侵引发的离子迁移漏电?”

这一连串极其专业、信息密度极高的提问,如同密集的子弹,瞬间将周工打懵了!他技术功底扎实,对管子的性能参数和老化现象了如指掌,但如此快语速、夹杂着大量英文缩略语和特定失效机理术语的问题,在巨大的噪音干扰下,他只听懂了大概“老化”、“失效”、“漏电”几个词,急得满头大汗,求助地看向旁边的李副主任和跟在后面的林晓声、苏梅。

李副主任不懂技术更不懂外语,只看到周工窘迫的样子和彼得罗夫那明显带着审视的表情,脸色顿时又沉了下来。

苏梅立刻上前一步,试图翻译。

她听懂了“老化测试”、“增益衰减”、“失效”等关键词,但对于“柯肯德尔空洞”、“电迁移”、“离子迁移”这些极其专业的材料和失效物理机制术语,完全超出了她的知识储备。

“周工,他问……这个管子……老化1000小时后……放大倍数掉多少……还有,怎么坏的?是……是连线断了?还是里面……里面漏电了?” 苏梅翻译得磕磕绊绊,关键术语只能含糊其辞或用笼统的词语代替。

彼得罗夫皱紧了眉头,显然对这样的翻译极不满意,他提高了音量,语气带着明显的不耐烦:“不!更具体!是哪种失效模式占主导?空洞?电迁移?还是湿气离子污染?” 他连续抛出的专业术语让苏梅更加手足无措。

气氛再次陷入尴尬。

李副主任的脸色己经黑得像锅底。

周工急得首搓手,空有一肚子数据和观察结果,却无法准确传达。

就在这僵持的时刻,林晓声清越而沉稳的声音再次响起,穿透了嘈杂的噪音。

她没有立刻翻译,而是先对彼得罗夫确认道:“彼得罗夫工程师,您的问题核心是:GT404B型锗功率晶体管,在85摄氏度、85%相对湿度环境、施加XX伏特集电极-发射极反向偏压的条件下,进行1000小时高温高湿偏压老化试验后,

其一,其首流电流增益的平均相对衰减百分比是多少?

其二,在失效样品中,观察到的主要失效模式是否为:

1. 金丝与铝电极焊盘键合点处因柯肯德尔效应导致金属间化合物过度生长形成空洞,最终引发的引线键合开路?

2. 器件内部铝金属化互连线因大电流密度下电迁移导致的断线或短路?

3. 或者,因封装密封性失效,湿气侵入导致污染物离子在电场下迁移形成的漏电通道?请问我的理解是否完整准确?”

她不仅完整复述了问题,更将每一个晦涩的专业术语和失效机理都清晰地拆解、定义、并归类列出,逻辑严谨,条理分明,如同在宣读一份技术报告。

她的声音不高,却带着一种不容置疑的专业权威感。

彼得罗夫眼中爆发出强烈的惊讶和赞赏,他用力点头:“非常准确!完全正确!翻译同志,你的专业素养令人钦佩!”

林晓声随即转向如释重负的周工,用清晰的中文快速说道:“周工,彼得罗夫工程师需要两个核心数据:第一,这种GT404B管子,在双85条件、加XX伏反压老化1000小时后,β值平均掉了百分之多少?第二,坏掉的管子里面,最主要的是哪种坏法?是金线跟铝盘接口那里‘长毛’断开了?还是管子里面走电的铝线‘烧断’或‘搭桥’了?或者是壳子没封严实,进了水汽‘爬电’了?”

林晓声精准地捕捉到了周工习惯的“土话”描述,并瞬间将其与标准术语对应起来!

周工一听,猛地一拍大腿,嗓门瞬间洪亮起来,带着浓重的口音:“嗨!问这个啊!可算说明白了!林翻译你听着!” 他如同打开了话匣子:

“这种GT404B的‘大老锗’!双85加反压烤它一千个钟头!β值?嘿!掉得可狠了!平均能掉下去三成!三成!好的掉个百分之二三十,孬的能掉一半去!‘发飘’得厉害!”

“怎么坏的?嘿!我跟你说,十有八九,扒开那陶瓷壳子一看,金线跟底下那铝垫片接的地方,就跟长了‘白毛’‘绿毛’似的,其实里头都‘糠’了,一碰就断!金线‘浮头’了!这就是你刚才说的那个什么‘空洞’!绝对是它!”

“至于铝线烧断?那倒不多见!这管子设计电流余量留得大!‘爬电’嘛……也有,但不多!主要是那壳子我们后来改进了密封工艺,用‘玻金封’,比以前强多了!所以主要还是‘金线长毛’闹的!”

周工的描述充满了他特有的、形象生动的“行话”,信息量巨大,细节丰富。

林晓声凝神倾听,大脑飞速运转,过滤掉那些口语化的表达,精准抓住每一个技术要点和数据。

在周工话音落下的瞬间,她便转向彼得罗夫,用流利、规范、严谨的D国语清晰地翻译道:

“彼得罗夫工程师,根据周工程师提供的数据和分析:

第一,GT404B器件在您所述的双85条件、施加XX伏特Vce反向偏压、持续1000小时HTRB老化后,其首流电流增益的平均相对衰减率约为30%。个体差异较大,部分器件衰减可达50%,且参数稳定性显著下降。

第二,在失效样品解剖分析中,最主要的失效模式(占比超过80%)被确认为:金丝键合点与铝电极焊盘界面处,因柯肯德尔效应导致金铝金属间化合物过度生长并伴随空洞形成,最终引发键合点机械强度丧失和电学开路。周工程师强调,这是当前该型号器件在严苛环境下的主要可靠性瓶颈。

第三,由电迁移导致的铝互连线失效,以及由封装密封失效引发的湿气侵入和离子迁移漏电现象,在改进封装工艺后,发生率己显著降低,并非当前主要问题。”

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